NF EN 60747-5-3 : 2001 AMD 1 2002

Avant-propos
1 Domaine d'application
2 Références normatives
3 Méthodes de mesure pour les photoémetteurs
  3.1 Intensité lumineuse des diodes
      électroluminescentes (IV)
  3.2 Intensité énergétique des diodes émettrices en
      infrarouge (le)
  3.3 Longueur d'onde d'émission maximale (lambda p),
      largeur du spectre de rayonnement (Delta lambda)
      et nombre de modes longitudinaux (nm)
  3.4 Longueur et largeur de la source d'émission et
      astigmatisme d'une diode laser sans fibre amorce
  3.5 Angle à mi-intensité et angle de désalignement
      d'un photoémetteur
4 Méthodes de mesure pour les dispositifs photosensibles
  4.1 Courant inverse sous rayonnement optique des
      photodiodes, y compris les dispositifs avec ou
      sans fibre amorce (IR(H) OU IR(e)) et courant
      collecteur sous rayonnement optique des
      phototransistors (IC(H) OU IC(e))
  4.2 Courant d'obscurité des photodiodes IR et courants
      d'obscurité des phototransistors ICEO, IECO, IEBO
  4.3 Tension de saturation collecteur-émetteur
      VCE(sat) de phototransistors
5 Méthodes de mesure pour les photo coupleurs
  5.1 Rapport de transfert de courant (hF(ctr))
  5.2 Capacité entrée-sortie (Cio)
  5.3 Résistance d'isolement entre l'entrée et la
      sortie (rlo)
  5.4 Essai d'isolement
  5.5 Décharges partielles des photo coupleurs
  5.6 Tension de saturation collecteur-émetteur
      VCE(sat) d'un photo coupleur
  5.7 Temps de commutation ton, toff d'un photo coupleur
Annexe A (informative) - Index des références croisées
Annexe ZA (normative) - Références normatives à d'autres
          publications internationales avec les
          publications européennes correspondantes