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NF EN 62132-4 : 2006

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INTEGRATED CIRCUITS - MEASUREMENT OF ELECTROMAGNETIC IMMUNITY 150 KHZ TO 1 GHZ - PART 4: DIRECT RF POWER INJECTION METHOD

Published date

01-12-2013

AVANT-PROPOS
1 Domaine d'application
2 Références normatives
3 Termes et définitions
4 Généralités
  4.1 Bases de mesure
Figure 1 - Disposition d'un montage d'essai d'injection
           directe
  4.2 Injection directe de puissance à une seule broche
Figure 2 - Illustration du principe de l'injection de
           puissance à une seule broche
Tableau 1 - Paramètres de CI et de systèmes affectant
            l'immunité
  4.3 Injection de puissance directe à broches multiples
      dans des broches de systèmes de mode différentiel
5 Conditions d'essai
6 Matériel d'essai
  6.1 Généralités
Figure 3 - Illustration du principe de l'injection de
           puissance à broches multiples
  6.2 Source de puissance RF
  6.3 Mesureur de puissance RF et coupleur directif
7 Montage d'essai
  7.1 Généralités
  7.2 Montage d'injection de puissance
  7.3 Carte de circuit d'essai
Figure 4 - Exemple de routage de l'accès d'injection à une
           broche du DEE
  7.4 Caractéristiques du montage d'injection de puissance
  7.5 Réseaux de découplage
Figure 5 - Exemple d'un résultat de mesure d'amplitude
           S21 (première résonance supérieure à 1 GHz)
8 Procédure d'essai
  8.1 Généralités
  8.2 Méthode d'essai spécifique
9 Rapport d'essai
Figure 6 - Logigramme d'une méthode d'essai
Annexe A (informative) Exemple d'une spécification des
          niveaux d'immunité par exemple pour des
          applications dans le secteur automobile
Tableau A.1 - Exemple de gammes de niveaux d'immunité
Annexe B (informative) Conseils en vue de la meilleure
          installation d'un montage d'essai par rapport
          à la RF
Figure B.1 - Installation d'un connecteur sur la carte
              d'essai à proximité du DEE
Figure B.2 - Au moyen d'une cage de Faraday en plaçant
              le connecteur aussi près que possible du
              DEE (une résistance série facultative peut
              être ajoutée)
Figure B.3 - Accès à un DEE à nombre élevé de broches par
              une grande carte principale et une carte
              spécifique CI connectées par des broches de
              contact à ressort
Figure B.4 - Découplage en courant continu d'une broche à
              courant élevé
Figure B.5 - Montage d'essai avec condensateur de blocage
              obligatoire
Figure B.6 - Exemple de disposition pour DEE avec
              condensateur de blocage obligatoire
Figure B.7 - Exemple de montage d'essai dont la charge
              est sur le montage d'essai
Figure B.8 - Exemple d'un réseau de découplage pour une
              entrée à haute impédance
Figure B.9 - Terminaison de broches à ne pas tester avec
              une impédance typique pour reproduire les
              courants de diaphonie
Figure B.10 - Exemple d'injection de puissance dans deux
              broches utilisant la terminaison recommandée
              du bus CAN à grande vitesse
Annexe C (informative) Explication du niveau d'essai de
          crête constant
Annexe ZA (normative) Références normatives à d'autres
          publications internationales avec les
          publications européennes correspondantes
Bibliographie

Specifies a method to measure the immunity of integrated circuits (IC) in the presence of conducted RF disturbances, e.g. resulting from radiated RF disturbances.

DevelopmentNote
Indice de classement: C96-261-4 PR NF EN 62132-4 May 2004 (05/2004)
DocumentType
Standard
PublisherName
Association Francaise de Normalisation
Status
Current

Standards Relationship
DIN EN 62132-4:2006-10 Identical
EN 62132-4:2006 Identical
IEC 62132-4:2006 Identical
I.S. EN 62132-4:2006 Identical
BS EN 62132-4:2006 Identical

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