• There are no items in your cart

NF ISO 17560 : 2006

Current

Current

The latest, up-to-date edition.

SURFACE CHEMICAL ANALYSIS - SECONDARY-ION MASS SPECTROMETRY - METHOD FOR DEPTH PROFILING OF BORON IN SILICON

Published date

01-12-2013

1 Domaine d'application
2 Référence normative
3 Symboles et termes abrégés
4 Principe
5 Matériaux de référence
6 Appareillage
7 Échantillon
8 Modes opératoires
9 Expression des résultats
10 Rapport d'essai
Annexe
Bibliographie

La présente Norme internationale spécifie une méthode de spectrométrie de masse des ions secondaires utilisant un spectromètre de masse à secteur magnétique ou quadripolaire pour le profilage en profondeur du bore dans le silicium et un profilomètre de surface à stylet ou un interféromètre optique pour l'étalonnage de l'échelle de profondeur. Cette méthode est applicable à des échantillons de silicium monocristallin, polycristallin ou amorphe dont les concentrations atomiques en bore sont comprises entre 1 x 10 16 atomes/cm[3] et 1 x 10 20 atomes/cm[3], et à des profondeurs de cratères de 50 nm ou plus.

DevelopmentNote
Indice de classement: X21-051 PR NF ISO 17560 February 2005 (02/2005)
DocumentType
Standard
PublisherName
Association Francaise de Normalisation
Status
Current

Standards Relationship
ISO 17560:2014 Identical

ISO 14237:2010 Surface chemical analysis Secondary-ion mass spectrometry Determination of boron atomic concentration in silicon using uniformly doped materials

View more information
Sorry this product is not available in your region.

Access your standards online with a subscription

Features

  • Simple online access to standards, technical information and regulations.

  • Critical updates of standards and customisable alerts and notifications.

  • Multi-user online standards collection: secure, flexible and cost effective.