SEMICONDUCTOR DEVICES - MECHANICAL AND CLIMATIC TEST METHODS - PART 38: SOFT ERROR TEST METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICES WITH MEMORY

Published date

12-01-2013

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AVANT-PROPOS
1 Domaine d'application
2 Termes et définitions
3 Appareillage d'essai
  3.1 Equipement de mesure
  3.2 Source de rayonnement alpha
      3.2.1 Contexte
      3.2.2 Sources privilégiées
      3.2.3 Variabilité des résultats
      3.2.4 Effet des hauts niveaux de radiation
      3.2.5 Précision de mesure
  3.3 Echantillon d'essai
Figure 1 - Effet de la distance du dispositif à la source
           sur le flux normalisé sur le dispositif
4 Mode opératoire
  4.1 Essai accéléré d'erreur logicielle à rayonnement alpha
      4.1.1 Préparation de la surface
      4.1.2 Tension d'alimentation
      4.1.3 Température ambiante
      4.1.4 Temps de cycle du coeur
      4.1.5 Structure des données
      4.1.6 Distance entre la puce et la source de
            rayonnement
      4.1.7 Nombre d'échantillons de mesure
  4.2 Essai d'erreur logicielle en temps réel
      4.2.1 Généralités
      4.2.2 Tension d'alimentation
      4.2.3 Température ambiante
      4.2.4 Fréquence de fonctionnement
      4.2.5 Structure des données
      4.2.6 Durée d'essai
      4.2.7 Nombre d'échantillons d'essai
      4.2.8 Essai des neutrons de l'environnement
  4.3 Essai accéléré d'erreur logicielle à rayonnement
      neutronique
5 Evaluation
  5.1 Essai accéléré d'erreur logicielle à rayonnement alpha
  5.2 Essai d'erreur logicielle en temps réel
Tableau 1 - X pour le calcul du FIT
6 Résumé
Bibliographie

La présente partie de la CEI 60749 établit une procédure de mesure de la prédisposition aux erreurs logicielles des dispositifs à semiconducteurs à mémoire lorsqu'ils sont soumis à des particules énergétiques telles que le rayonnement alpha. Deux essais sont décrits: un essai accéléré utilisant une source de rayonnement alpha et un essai de système en temps réel (non accéléré) dans lequel toutes les erreurs sont générées dans des conditions de rayonnement se produisant naturellement: il peut s'agir du rayonnement alpha ou de tout autre rayonnement, neutronique par exemple. Pour une caractérisation complète de la capacité d'erreur logicielle d'un circuit intégré à mémoire, il faut que le dispositif soit soumis à un essai pour le spectre large à haute énergie et les neutrons thermiques en utilisant des méthodes d'essais complémentaires. Cette méthode d'essai peut être appliquée à tout type de circuit intégré qui possède un dispositif de mémoire.

DevelopmentNote	Indice de classement: C96-022-38. PR NF EN 60749-38 December 2006. (12/2006)
DocumentType	Standard
PublisherName	Association Francaise de Normalisation
Status	Current