SEMICONDUCTOR DEVICES - TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN (TDDB) TEST FOR GATE DIELECTRIC FILMS

Published date

12-01-2013

Publisher

AVANT-PROPOS
1 Domaine d'application
2 Termes et définitions
3 Matériel d'essai
4 Echantillons d'essai
  4.1 Généralités
  4.2 Structure d'essai: structure de condensateur
  4.3 Surface
5 Procédures
  5.1 Généralités
  5.2 Essai préalable
  5.3 Conditions d'essai
  5.4 Critères
6 Estimation de durée de vie
  6.1 Généralités
  6.2 Modèle d'accélération
  6.3 Procédure de l'estimation de la durée de vie
7 Dépendance de la durée de vie par rapport à la surface
  de l'oxyde de grille
Annexe A (informative) Condition d'essai de détermination
         supplémentaire et analyse des données
Bibliographie

Cette norme décrit une méthode d'essai de la rupture diélectrique en fonction du temps (TDDB) pour films diélectriques de grille des dispositifs à semi-conducteurs et une méthode d'estimation de la durée de vie de produit en présence d'une défaillance de type TDDB.

DevelopmentNote	Indice de classement: C96-017. PR NF EN 62374 October 2005. (10/2005)
DocumentType	Standard
PublisherName	Association Francaise de Normalisation
Status	Current