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NF EN 60749-22 : 2003

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SEMICONDUCTOR DEVICES - MECHANICAL AND CLIMATIC TEST METHODS - PART 22: BOND STRENGTH

Published date

01-12-2013

AVANT-PROPOS
INTRODUCTION
1 Domaine d'application et objet
  1.1 Description générale de l'essai
  1.2 Description de l'appareillage d'essai (pour toutes les
      méthodes)
2 Méthodes A et B (voir également l'annexe A)
  2.1 Domaine d'application
  2.2 Description générale de l'essai
3 Méthode C
  3.1 Domaine d'application
  3.2 Méthode C: Décollage de contact soudé
4 Méthode D
  4.1 Domaine d'application
  4.2 Méthode D: Essai du contact soudé au cisaillement
      (applicable aux dispositifs à surépaisseurs ou "flip chip")
5 Méthodes E et F
  5.1 Domaine d'application
  5.2 Méthode E: Essai d'arrachement par poussée
  5.3 Méthode F: Essai d'arrachement par traction
  5.4 Critères de défauts pour les deux méthodes E et F
  5.5 Force à appliquer (pour les deux méthodes)
6 Méthode G: Essai de cisaillement du point de soudure fil
  ("wire ball")
  6.1 Domaine d'application
  6.2 Description générale
  6.3 Termes et définitions
  6.4 Equipement et matériel
  6.5 Procédure
  6.6 Limites d'acceptabilité de l'essai
7 Renseignements que doit fournir la spécification particulière
Annexe A (normative) Guide

Applies to semiconductor devices (discrete devices and integrated circuits). Measures bond strength or determine compliance with specified bond strength requirements.

DevelopmentNote
Indice de classement: C96-022-22. (12/2003) Supersedes NF EN 60749. (06/2007)
DocumentType
Standard
PublisherName
Association Francaise de Normalisation
Status
Current

Standards Relationship
DIN EN 60749-22:2003-12 Identical
I.S. EN 60749-22:2003 Identical
EN 60749-22:2003 Identical
BS EN 60749-22:2003 Identical
UNE-EN 60749-22:2004 Identical
IEC 60749-22:2002 Identical

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